100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF540NSPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **IR Specifications:**  
1. **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
2. **Continuous Drain Current (I_D):** 33A (at 25°C)  
3. **Pulsed Drain Current (I_DM):** 130A  
4. **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
5. **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
6. **On-Resistance (R_DS(on)):** 44mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 33A)  
7. **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
8. **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
9. **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
10. **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 130pF  

### **Descriptions:**  
- The IRF540NSPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling.  
- Suitable for power management, motor control, and switching regulators.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces spurious turn-on effects.  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet.