100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF540NS is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **IRF540NS Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 130A  
- **Power Dissipation (P_D):** 130W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 44mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 27A)  
  - 60mΩ (at V_GS = 4.5V, I_D = 17A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 420pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF540NS is an N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, high current handling, and fast switching speeds, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching** for high-efficiency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for rugged performance.  
- **TO-263 (D2PAK) Package** for improved thermal performance.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation.**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant.**  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IRF540NS.