33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, Power MOSFET The IRF540N is an N-channel power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's datasheet:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies** (formerly International Rectifier)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 110A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 130W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 44mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 140pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 48ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package Type:**  
- **TO-220AB** (Through-hole mounting)  

### **Description:**  
The IRF540N is a high-power MOSFET designed for switching applications, including motor control, power supplies, and DC-DC converters. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current-handling capability.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology** for low R_DS(on)  
- **High Current Capability** (33A continuous)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  

This information is sourced from the manufacturer's official datasheet.