N-Channel Power MOSFETs/ 20 A/ 60-100 V The IRF531 is an N-channel power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **IRF531 Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A (at 25°C case temperature)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C case temperature)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 8A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRF531 is a high-voltage MOSFET designed for power switching applications. It features a low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for use in power supplies, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **High Voltage Capability (100V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.