Power MOSFET The IRF530STRRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 88W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 900pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF530STRRPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high efficiency, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 100V rating for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **TO-263 (D2PAK) Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.