100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF530PBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRF530PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 88W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRF530PBF is a high-performance N-channel power MOSFET designed for switching applications. It offers low on-resistance, fast switching speeds, and high reliability, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 17A continuous drain current.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **TO-220 Package:** Allows for easy mounting and heat dissipation.  
- **Silicon Gate Technology:** Ensures high performance and reliability.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF530PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF530PBF is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 88W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed** – Optimized for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance** – Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified** – Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-220 Package** – Provides efficient thermal dissipation.  
- **Silicon Gate Technology** – Ensures high reliability and performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.