100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF530NSTRLPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The IRF530NSTRLPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and high current handling, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Low Thermal Resistance:** Improves heat dissipation.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.