100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF530NSTRL is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 88W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 680pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 130pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
The IRF530NSTRL is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (100V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-263 (D2PAK) Package**  

This information is strictly factual and derived from the manufacturer's datasheet.