100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF530NS is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 630pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 130pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The IRF530NS is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in various circuits.  
- The device is housed in a TO-263 (D2PAK) package, which provides good thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in harsh conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage transients.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF530NS is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its IR specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF530NS is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is part of the HEXFET® Power MOSFET family, known for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Low Gate Charge (Q_g):** 28nC (typical)  
- **Low Thermal Resistance (R_θJC):** 1.67°C/W  

### **Package:**  
- **TO-263 (D2PAK)** – Surface-mount package with good thermal performance.  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Automotive systems  
- Industrial applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.