100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF530NPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF530NPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is part of the HEXFET® power MOSFET series, known for efficiency and reliability in power management.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 88W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust performance under inductive loads.  
- **TO-220 Package:** Industry-standard through-hole package for easy mounting.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Applications:**  
- Switching regulators  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Power supplies  
- Automotive systems  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.