100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF530NL is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 70pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-262 (D²PAK)  

### **Description:**  
The IRF530NL is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency power management systems.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Handling Capability** for robust power switching.  
- **Avalanche Energy Rated** for improved reliability in rugged environments.  
- **TO-262 Package** provides efficient thermal performance and ease of mounting.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.