22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, Power MOSFET The IRF530N is an N-channel power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 65pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRF530N is a **high-voltage, fast-switching** MOSFET designed for **power applications** such as motor control, power supplies, and DC-DC converters. It features **low on-resistance** and **high current handling** capability.  

### **Features:**  
- **High voltage capability** (100V)  
- **Low gate charge** for fast switching  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **Improved dv/dt capability**  

The IRF530N is commonly used in **switching regulators, inverters, and high-efficiency power circuits**.