-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF5305SPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 31A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF5305SPBF is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet.