-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF5305S is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's information:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF5305S  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 31A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 0.06Ω (at V_GS = 10V, I_D = 16A)  
  - 0.045Ω (at V_GS = 10V, I_D = 31A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 50nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF5305S is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high switching speed.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces spurious turn-on in high-speed switching.  
- **TO-263 (D2PAK) Package:** Provides efficient thermal performance and high power dissipation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet and technical documentation.