-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF5305PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 31A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF5305PBF is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Provides high efficiency and reliability.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in rugged applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **TO-220AB Package:** Allows for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.