N-Channel Power MOSFETs/ 11 A/ 60-100 V The IRF523 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**
- **High Voltage Capability:** Designed for applications requiring up to 200V drain-source voltage.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Provides efficient power handling with reduced conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Capable of withstanding high-energy transients.  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole package for easy mounting and heat dissipation.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.