N-Channel Power MOSFETs/ 11 A/ 60-100 V The IRF523 is a power MOSFET transistor manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF523 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications. It features fast switching speeds, low on-resistance, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- High voltage capability (200V)  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Avalanche energy specified for reliability  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.