N-Channel Power MOSFETs/ 11 A/ 60-100 V The IRF522 is a power MOSFET manufactured by Harris Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Harris Semiconductor  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 25ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The IRF522 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is suitable for power management, motor control, and amplifier circuits.  
- The device features low on-resistance and fast switching speeds.  

### **Features:**
- High voltage capability (100V)  
- Low gate drive requirements  
- Fast switching performance  
- Rugged and reliable design  
- Avalanche energy rated  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.