-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF5210S is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRF5210S is a P-Channel Power MOSFET designed for high-power switching applications. It is part of IR's HEXFET® Power MOSFET family, known for efficient power handling and reliability.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -23A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -92A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns  
- **Rise Time (t_r):** 70ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved performance  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Package:**  
- **TO-263 (D2PAK)** surface-mount package  

### **Applications:**  
- Power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-efficiency switching circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.