-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF5210L is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -42A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF5210L is a high-performance P-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, high current handling, and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion circuits.  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology  
- Low gate charge for fast switching  
- Low thermal resistance  
- Avalanche energy specified  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.