-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF5210 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **IRF5210 Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -10A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
- The IRF5210 is a high-voltage P-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is part of the HEXFET® power MOSFET series, known for efficient switching performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to -100V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole mounting for easy PCB integration.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.