100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF520VL is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 75pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- TO-220 (Through-Hole)  

### **Description:**  
The IRF520VL is an N-channel MOSFET designed for high-speed switching and power management applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power amplification.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (100V)**  
- **Low On-Resistance**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet.