100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF520NSTRRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF520NSTRRPBF  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 39A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 60W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 390pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 85pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 35pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Package:**  
- **Type:** TO-263 (D2PAK)  
- **Mounting:** Surface Mount (SMD)  

### **Features:**  
- **High-Speed Switching:** Suitable for fast switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Improved ruggedness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Applications:**  
- Power switching in DC-DC converters  
- Motor control circuits  
- Switching regulators  
- Automotive and industrial applications  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.