100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF520NSTRR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 39A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 60W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 480pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 130pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 70pF  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  

### **Description:**  
The IRF520NSTRR is an N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and high current handling, making it suitable for power management, motor control, and switching regulators.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss.  
- **High Current Capability:** Supports up to 9.7A continuous current.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness.  
- **TO-263 (D2PAK) Package:** Surface-mount package for efficient thermal dissipation.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.