100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF520NS is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF520NS  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 39A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 520pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  

### **Description:**  
The IRF520NS is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 5V or higher gate signals.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for space-constrained applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IRF520NS. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the manufacturer's documentation.