HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 9.7A The IRF520NL is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 39A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 540pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 47ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-262 (D²PAK)**  

### **Description:**  
The IRF520NL is an N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (100V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.20 Ohm, ID = 9.7A