9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET Features The IRF520 is an N-channel power MOSFET manufactured by NXP Semiconductors (formerly part of Philips Semiconductors).  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 60W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 530pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 130pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low gate charge for improved efficiency.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Suitable for power amplifiers, motor control, and DC-DC converters.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

The IRF520 is commonly used in power electronics due to its high voltage and current handling capabilities.

9.2A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET Features