IRF513

N-Channel Power MOSFETs/ 5.5 A/ 60-100V The IRF513 is a power MOSFET manufactured by Harris Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Harris Semiconductor  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.74Ω (at V_GS = 10V, I_D = 4.3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Description:**
The IRF513 is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and amplifiers due to its low on-resistance and fast switching characteristics.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 100V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Robust Design:** Can handle high pulsed currents.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-Channel Power MOSFETs/ 5.5 A/ 60-100V