IRF512

N-Channel Power MOSFETs/ 5.5 A/ 60-100V The IRF512 is a power MOSFET manufactured by various companies, including Vishay Siliconix. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 25ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF512 is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency switching circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 100V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Allows for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based on manufacturer datasheets and technical documentation.

N-Channel Power MOSFETs/ 5.5 A/ 60-100V