IC Phoenix logo

Home ›  I  › I24 > IRF512

IRF512 from

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

IRF512

N-Channel Power MOSFETs/ 5.5 A/ 60-100V

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF512 100 In Stock

Description and Introduction

N-Channel Power MOSFETs/ 5.5 A/ 60-100V The IRF512 is a power MOSFET manufactured by various companies, including Vishay Siliconix. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 5.2A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 20A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 43W (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 180pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 25ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF512 is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency switching circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 100V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Allows for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based on manufacturer datasheets and technical documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF512 ST 2 In Stock

Description and Introduction

N-Channel Power MOSFETs/ 5.5 A/ 60-100V The IRF512 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 5.2A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 20A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 43W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 150pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 50pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-220 (Through-Hole)  
- **Technology:** ST's advanced power MOSFET process  
- **Applications:** Switching regulators, motor control, power amplifiers, and general-purpose power switching  

### **Features:**
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance**  
- **High Input Impedance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based on STMicroelectronics' datasheet for the IRF512.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips