N-Channel Power MOSFETs/ 5.5 A/ 60-100V The IRF511 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (Infineon Technologies)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 25ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
- The IRF511 is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications.  
- It is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Fast switching speed**  
- **Low gate charge**  
- **Avalanche energy specified**  
- **Low on-resistance**  
- **TO-220AB package for easy mounting**  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

N-Channel Power MOSFETs/ 5.5 A/ 60-100V The IRF511 is a power MOSFET manufactured by **SAM (Siliconix and Advanced Micro Devices)**.  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **N-Channel Enhancement Mode MOSFET**  
- **TO-220AB Package** (through-hole mounting)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Drive Power Requirement**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Applications:** Switching regulators, motor control, power amplifiers, and general-purpose power switching.  

The IRF511 is designed for medium-power applications requiring efficient switching performance.