### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.54Ω (at V_GS = 10V, I_D = 5.6A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**  
- **N-Channel Power MOSFET:** Designed for high-speed switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  
- **Applications:** Switching regulators, motor control, DC-DC converters, and power amplifiers.  

The IRF510A is optimized for performance in power management and switching circuits.