5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET The IRF510 is a power MOSFET manufactured by Vishay Siliconix (formerly International Rectifier, now part of Vishay).  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.6A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.54Ω (at V_GS = 10V, I_D = 3.4A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V to 4.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Rise Time (t_r):** 55ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description & Features:**  
- **N-Channel Enhancement Mode MOSFET**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Applications:** Switching regulators, motor control, relay drivers, and general-purpose power switching.  

The IRF510 is widely used in medium-power applications due to its balance of voltage rating, current handling, and switching performance.

5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFET