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IRF4N60 from Suntac

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15.625ms

IRF4N60

Manufacturer: Suntac

POWER MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF4N60 Suntac 50 In Stock

Description and Introduction

POWER MOSFET The IRF4N60 is a power MOSFET manufactured by Suntac. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 16A  
- **Power Dissipation (PD):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 2.5Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 350pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF4N60 is an N-channel MOSFET designed for high-voltage, fast-switching applications. It is commonly used in power supplies, inverters, motor control, and other high-efficiency switching circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage  
- **Low Gate Charge:** Enables fast switching  
- **Low On-Resistance:** Improves efficiency  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product specifications.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF4N60 50 In Stock

Description and Introduction

POWER MOSFET The IRF4N60 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 16A  
- **Power Dissipation (PD):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.8Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 450pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF4N60 is a N-channel MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is part of Infineon’s HEXFET® power MOSFET series, offering low gate charge and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (RDS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-220 Package for Efficient Heat Dissipation**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF4N60 STC 34 In Stock

Description and Introduction

POWER MOSFET The IRF4N60 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STC). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 16A  
- **Power Dissipation (PD):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-State Resistance (RDS(on)):** 2.5Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 40pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The IRF4N60 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is suitable for use in power supplies, inverters, motor control, and other switching circuits requiring efficient performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage.  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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