HEXFET Power MOSFET The IRF4905SPBF is a P-channel Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -55V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -74A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -280A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 20mΩ (at V_GS = -10V)  
- **R_DS(on) (Max):** 26mΩ (at V_GS = -4.5V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns  
- **Rise Time (t_r):** 50ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns  
- **Fall Time (t_f):** 35ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**
The IRF4905SPBF is a high-current P-channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion.

### **Features:**
- **Advanced Process Technology:** Provides low on-resistance and high switching performance.  
- **High Current Capability:** Supports up to -74A continuous drain current.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in high-energy environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

HEXFET Power MOSFET