40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF4104PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Technology:** Advanced HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Applications:** High-efficiency power switching in DC-DC converters, motor control, and power supplies  
- **Features:**  
  - Low on-resistance for reduced conduction losses  
  - Fast switching performance  
  - Robust and reliable design  
  - Avalanche energy specified  
  - Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package