100V Quad N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Power MLP package The IRF4000TR is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  
### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 40A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 150W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.85Ω (typical at VGS = 10V)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typical)  
- **Rise Time (tr):** 30ns (typical)  
- **Fall Time (tf):** 20ns (typical)  
### **Description:**  
The IRF4000TR is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for fast switching performance and low on-resistance, making it suitable for high-efficiency power converters, motor drives, and other power management systems.  
### **Features:**  
- **High Voltage Capability (400V)**  
- **Low On-Resistance (RDS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220AB Package (Through-Hole Mounting)**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  
This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.