75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF3808PBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRF3808PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRF3808PBF is a high-current, low-on-resistance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features International Rectifier’s advanced HEXFET® technology, providing high efficiency and thermal performance.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching capability  
- High current handling  
- Robust and reliable HEXFET® technology  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-power switching applications.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for updated specifications.)