75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF3808 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ @ V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 400pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- The IRF3808 is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching efficiency.  
- Low R_DS(on) minimizes conduction losses.  
- High current handling capability.  
- Robust and reliable performance in high-power applications.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  

For exact details, always refer to the official datasheet from Infineon Technologies.