55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Lead D2-Pak package The IRF3805S-7P is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies (IR)  
- **Part Number:** IRF3805S-7P  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-263-7 (D²PAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.7mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (typ) at V_DS = 44V, I_D = 140A  
- **Operating Junction Temperature:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology:** Provides high efficiency and low conduction losses.  
- **Optimized for High Current Applications:** Suitable for power switching in motor drives, DC-DC converters, and synchronous rectification.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes power dissipation and improves thermal performance.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements and improves efficiency.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.