20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF3711ZS is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRF3711ZS  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 84A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 1.8mΩ @ V_GS = 10V  
  - 2.3mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 140nC @ V_DS = 10V, V_GS = 4.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  

### **Description:**  
The IRF3711ZS is a N-channel power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It features ultra-low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high current handling.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **TO-263 (D2PAK) Package:** Provides high power density and thermal performance.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is sourced from the manufacturer’s datasheet. For detailed application guidelines, refer to Infineon’s official documentation.