20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF3711ZCS is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 98A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.7mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** TO-263 (D2PAK)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for high efficiency and low switching losses.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Synchronous Rectification  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF3711ZCS Power MOSFET.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package