20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF3711STRR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 98A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4500pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF3711STRR is a N-channel power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high current handling.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

The device is available in a TO-263 (D2PAK) surface-mount package for easy PCB integration.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for detailed and updated specifications.)