20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF3711L is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRF3711L is a HEXFET® Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 84A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.7mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 42A)  
- **Gate Charge (Q_g):** 110nC (at V_DS = 10V, I_D = 42A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 2200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 1100pF  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 300mJ  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology for high efficiency  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching speed  
- Low gate charge for reduced drive losses  
- 100% avalanche tested for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
TO-262 (D²PAK)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.