100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF3710Z is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 57A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 230A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 23mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 146nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF3710Z is a high-current, low-on-resistance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for high efficiency and fast switching performance in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in high-power applications where efficiency and thermal performance are critical.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package