Advanced Process Technology The IRF3710STRLPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF3710STRLPBF  

### **Description:**  
The IRF3710STRLPBF is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 57A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 230A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 23mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor drives, and other high-current switching applications.

Advanced Process Technology The IRF3710STRLPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (IR)  

### **Part Number:**  
IRF3710STRLPBF  

### **Description:**  
The IRF3710STRLPBF is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is part of the HEXFET® Power MOSFET series, known for low on-resistance and high-speed switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 57A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 230A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 23mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology for low conduction losses  
- Fast switching speed  
- Low gate charge (Q_g) for reduced drive requirements  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
TO-263 (D2PAK) surface-mount package  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power supplies  
- Automotive systems  
- High-efficiency switching circuits  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.