100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF3710 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 57A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 230A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 23mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 28A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole)  

### **Description:**  
The IRF3710 is a high-current, low-on-resistance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is commonly used in motor control, power supplies, DC-DC converters, and other high-efficiency switching circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **High Current Handling Capability** for power-intensive designs.  
- **Avalanche Rated** for rugged performance in harsh conditions.  
- **Improved dv/dt Capability** for better noise immunity.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRF3710.