100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF3710 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.023Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 450pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Description:**  
The IRF3710 is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** improves performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** to ensure stable operation.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant** for environmental safety.  

The IRF3710 is available in a TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation.  

*(Note: Always refer to the latest datasheet for updated specifications.)*