30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF3709ZS is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF3709ZS  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 5.3mΩ  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 7.5mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
TO-263 (D2PAK)  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® Power MOSFET technology  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Optimized for high-efficiency power applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in automotive and industrial systems  
- High-current switching applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.