30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF3709S is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 6.5mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 31A)  
  - 8.0mΩ (at V_GS = 4.5V, I_D = 20A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V to 4.0V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (at V_DS = 20V, V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2900pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 580pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 130pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-263 (D2PAK)** (3-pin surface-mount package)  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low on-resistance and high switching performance.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **High Current Handling:** Suitable for high-power applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power supplies  
- Synchronous rectification  
- Battery management systems  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.