30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF3708S is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.0mΩ @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 85nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3500pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 650pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  

### **Descriptions and Features:**
- **Advanced Process Technology:** Optimized for high efficiency and low conduction losses.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes power dissipation in high-current applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and automotive systems.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.